Caracterización y análisis de confiabilidad de Enhancement-Mode PEALD AlN/LPCVD SiN GaN MISFET con pretratamiento de plasma H/N in situ
Autores: Huang, Chengyu; Wang, Jinyan; Wang, Maojun; He, Jin; Li, Mengjun; Zhang, Bin; He, Yandong
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2023
Acceso abierto
Artículo científico
2023
Caracterización y análisis de confiabilidad de Enhancement-Mode PEALD AlN/LPCVD SiN GaN MISFET con pretratamiento de plasma H/N in situ
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
En situ
Pretratamiento de plasma
AlN PEALD
SiN LPCVD
Densidades de trampas de interfaz
Alto rendimiento
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 41
Citaciones: Sin citaciones
Se presenta una técnica efectiva de pretratamiento H/N in situ para el GaN MISFET de modo de mejora con un dieléctrico de doble puerta AlN/LPCVD SiN de PEALD.
Descripción
Se presenta una técnica efectiva de pretratamiento H/N in situ para el GaN MISFET de modo de mejora con un dieléctrico de doble puerta AlN/LPCVD SiN de PEALD.