Un análisis sistemático de capas libres individuales de CoFeB dopadas con W para aplicaciones de STT-MRAM de baja potencia
Autores: Rao, Siddharth; Couet, Sebastien; Van Beek, Simon; Kundu, Shreya; Sharifi, Shamin Houshmand; Jossart, Nico; Kar, Gouri Sankar
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2021
Acceso abierto
Artículo científico
2021
Un análisis sistemático de capas libres individuales de CoFeB dopadas con W para aplicaciones de STT-MRAM de baja potencia
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Memoria de acceso aleatorio magnetorresistiva de torque de transferencia de giro
STT-MRAM
Memoria no volátil
NVM
Magnetorresistencia de túnel
Basada en TMR
Basada en MgO.
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 35
Citaciones: Sin citaciones
La tecnología de memoria de acceso aleatorio magnetorresistiva de transferencia de espin (STT-MRAM) se considera la solución de memoria no volátil más prometedora para aplicaciones de alta velocidad y bajo consumo de energía.
Descripción
La tecnología de memoria de acceso aleatorio magnetorresistiva de transferencia de espin (STT-MRAM) se considera la solución de memoria no volátil más prometedora para aplicaciones de alta velocidad y bajo consumo de energía.