Este documento presenta una visión crítica y detallada de las técnicas experimentales para la extracción de la resistencia térmica de los transistores bipolares a partir de simples mediciones de corriente/voltaje en DC. Más específicamente, este estudio se centra en técnicas basadas en un termómetro, es decir, la relación entre el voltaje base-emisor y la temperatura de la unión. La teoría detrás de las técnicas se describe con una nomenclatura unificada y comprensible. Se ilustran las ventajas, las aproximaciones subyacentes y las limitaciones de los métodos. La precisión se evalúa emulando las mediciones en DC con simulaciones electro térmicas de PSPICE de un modelo de transistor, aplicando las técnicas a las corrientes/voltajes simulados y comparando los datos de resistencia térmica extraídos con los valores obtenidos de la formulación objetivo incrustada en el modelo de transistor. Se consideran como estudios de caso un HBT InGaP/GaAs y un HBT Si/SiGe para aplicaciones de alta frecuencia.