Investigamos las propiedades electrónicas y electrofísicas de películas de nanotubos de carbono de pared simple (SWCNT) de una y dos capas en sustratos de diferentes tipos, incluidos sustratos en forma de películas de dióxido de silicio cristalino (SiO) con grupos de simetría espacial P4/mnm y P321. Las películas de SWCNT interactúan con el sustrato únicamente a través de fuerzas de van der Waals. Se calculan las densidades de estados electrónicos (DOS) y las funciones de transmisión de electrones para películas de SWCNT con varios sustratos. La conductividad eléctrica de las películas de SWCNT se calcula en función de la función de transmisión de electrones. Se encuentra que el sustrato juega un papel importante en la formación de la DOS de las películas de SWCNT, y la topología de la superficie determina el grado y la naturaleza de la influencia mutua del nanotubo y el sustrato. Se muestra que el sustrato afecta las propiedades electrónicas de las películas monolayer, cambiando el valor de la resistencia eléctrica del 2% al 17%. Sin embargo, el sustrato prácticamente no tiene efecto en la conductividad eléctrica y la resistencia de la película de dos capas en ambas direcciones de transferencia de corriente. En este caso, los valores de las resistencias de la película de dos capas en ambas direcciones de transferencia de corriente se acercan al valor de ~6.4 kOhm, que es el más bajo para SWCNT individuales.