El voltaje de estado activo de los MOSFET es un parámetro eléctrico sensible a la temperatura (TSEP) conveniente y potente para determinar la temperatura de la unión, lo que permite el monitoreo, la protección, diagnóstico y pronóstico de dispositivos. La principal dificultad en el uso del voltaje de estado activo como TSEP es el procedimiento de caracterización por dispositivo, que debe llevarse a cabo en un entorno controlado, con altos costos. En este documento, comparamos dos técnicas novedosas para la estimación de la temperatura de la unión de MOSFET: el disparo controlado y el calentamiento directo mediante calentadores resistivos integrados en dos películas de Kapton (poliimida). Ambos permiten la caracterización in situ de la curva TSEP con el dispositivo montado en su circuito y ensamblaje final, incluido el disipador de calor en funcionamiento. Los dos métodos también se validan frente al procedimiento convencional en una cámara térmica.