Recientemente, el interés en los inversores fotovoltaicos conectados a la red sin transformador ha aumentado rápidamente, debido a su mayor eficiencia y menor costo en comparación con los inversores tradicionales con transformador de línea. Este documento presenta una nueva topología modificada sin transformador derivada del inversor H5, y proporciona una comparación detallada entre el uso de dispositivos GaN y Si para la topología propuesta. Los modos de operación detallados, la estructura del inversor y la estrategia de conmutación de la topología propuesta son presentados. La información de la hoja de datos, las pérdidas de conducción, las pérdidas de conmutación y los requisitos de disipador de calor son estudiados y analizados para proporcionar una comparación precisa entre los dispositivos de potencia GaN y Si para la topología propuesta operando a un factor de potencia unitario. Los resultados muestran que los dispositivos de potencia GaN reducen significativamente las pérdidas de potencia en el sistema, lo que permite un aumento significativo en la clasificación de potencia del inversor o en la frecuencia de conmutación. Por lo tanto, el uso de dispositivos de potencia GaN para el inversor propuesto puede ser un enfoque más atractivo y rentable.