En este estudio, diseñamos un amplificador de potencia CMOS de banda ancha para soportar comunicaciones inalámbricas multi-banda y multi-estándar. Primero, se propuso una técnica de coincidencia de entrada a través de una red LC y una técnica de diseño de banda ancha utilizando un transformador de bajo factor Q. Además, se propuso una técnica de diseño para mejorar la coincidencia de salida utilizando retroalimentación RC. Para verificar la viabilidad de la metodología de diseño propuesta para amplificadores de potencia CMOS de banda ancha, el amplificador de potencia diseñado fue fabricado utilizando un proceso RFCMOS de 180 nm. El tamaño, incluyendo toda la red de coincidencia y las almohadillas de prueba, fue de 1,38 x 0,90 mm. Además, la efectividad del amplificador de potencia propuesto fue verificada a través de los resultados medidos utilizando señales moduladas de WCDMA, LTE y WLAN 802.11n.