Este artículo presenta un amplificador de bajo ruido (LNA) ajustable en estado en chip de 8 GHz a 12 GHz. Tiene dos características. Primero, se propone una topología de reutilización de corriente mejorada. Al conectar un pequeño capacitor en paralelo con el drenaje del transistor de la primera etapa, se expande el ancho de banda y se mejora la planitud en banda. Segundo, se diseña un circuito de polarización adaptativo innovador para hacer frente a la influencia de la temperatura y el proceso en el rendimiento del amplificador, y se propone por primera vez un método de ajuste en chip del estado del chip. Como resultado de estas tecnologías, el área del chip es de 1.1 mm x 0.8 mm, el chip proporciona una ganancia nominal de 24.4 dB con apenas 0.75 dB de ruido a 10 GHz, y produce una potencia de salida de 14.5 dBm en el punto de compresión de 1 dB (OP1dB) cuando se polariza a 30 mA de corriente de reposo, al mismo tiempo, la ganancia, OP1dB y la corriente de reposo se pueden ajustar en chip. Este diseño mejora el rendimiento integral de LNA de banda X y proporciona más flexibilidad para los ingenieros de sistemas en aplicaciones. El chip se fabrica utilizando el proceso de modo E InGaAs pHEMT de 0.15 um de Win Semiconductors.