Con la escalabilidad de la tecnología, lograr un rendimiento de lectura objetivo de las memorias no volátiles resistivas se vuelve más difícil debido a la mayor variación del proceso y la disminución de la tensión de suministro. Recientemente, se ha propuesto un circuito de detección de dos etapas que cancela el desplazamiento de offset (OCDS-SC) para mejorar el rendimiento de lectura mediante la cancelación del voltaje de offset y la utilización de una estructura de doble margen de detección. En este documento, se propone un amplificador de detección de zona muerta cero que cancela el offset (OCZS-SA) combinado con el OCDS-SC para mejorar significativamente el rendimiento de lectura. El OCZS-SA tiene dos ventajas principales, a saber, la cancelación del voltaje de offset y una zona muerta de detección cero. Los resultados de simulación de Monte Carlo HSPICE utilizando un modelo de tecnología predictiva de 65 nm muestran que el OCZS-SA logra un voltaje de offset 2.1 veces más pequeño con una zona muerta de detección cero que los SA convencionales tipo latch a costa de una sobrecarga de área aumentada del 1.0% para un tamaño de submatriz de 128 x 16.