Este documento presenta un amplificador de driver de dos etapas de transistor de alta movilidad electrónica pseudomórfica (pHEMT) de GaN de banda ancha basado en una técnica de retroalimentación mejorada para un sistema de banda ancha. A través de valores de parámetros bien diseñados de la retroalimentación y la estructura de coincidencia del circuito, se obtuvo una respuesta de frecuencia relativamente plana sobre una amplia banda de frecuencia. Simultáneamente, con el fin de reducir la fluctuación de corriente causada por la temperatura ambiental, se diseñó un circuito de polarización con compensación de temperatura de corriente de reposo. El amplificador de potencia del driver, implementado en forma de un circuito integrado monolítico de microondas (MMIC), fue diseñado para impulsar un amplificador de alta potencia de banda ancha. El amplificador de driver de banda ancha diseñado para la banda de frecuencia de 6 GHz a 20 GHz tenía un tamaño de matriz muy pequeño de 1,5 x 1,2 mm debido al uso de una estructura de coincidencia de impedancia optimizada. Mostró una ganancia de señal pequeña de 12,5 dB y una potencia de salida de 26 dBm. La planitud de este amplificador de driver para ganancia y potencia de salida se logró en +/-2,5 dB y +/-1 dB sobre toda la banda de frecuencia, respectivamente. Los resultados experimentales mostraron hasta 35 dBm en el OIP3, y el rango de variación de corriente fue de +/-5 mA después de usar el circuito de polarización de compensación de temperatura.