Un amplificador de bajo ruido GaN HEMT de 26-30 GHz que emplea una técnica de mejora de estabilidad basada en un inductor en serie
Autores: Ahn, Hyunbae; Ji, Honggu; Kang, Dongmin; Son, Sung-Min; Lee, Sanghun; Han, Junghwan
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2022
Acceso abierto
Artículo científico
2022
Un amplificador de bajo ruido GaN HEMT de 26-30 GHz que emplea una técnica de mejora de estabilidad basada en un inductor en serie
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Nitruro de galio
Amplificador de bajo ruido
Mejora de estabilidad
Capacitancia parásita
Ganancia
Consumo de energía
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 28
Citaciones: Sin citaciones
Este artículo presenta un amplificador de bajo ruido (LNA) de transistor de movilidad electrónica alta (HEMT) de nitruro de galio (GaN) de 26-30 GHz para aplicaciones de estación base de quinta generación.
Descripción
Este artículo presenta un amplificador de bajo ruido (LNA) de transistor de movilidad electrónica alta (HEMT) de nitruro de galio (GaN) de 26-30 GHz para aplicaciones de estación base de quinta generación.