En este documento se propone el diseño e implementación de un amplificador de potencia Doherty (DPA) utilizando transistores de alta movilidad electrónica de nitruro de galio (GaN HEMTs). Los modos Clase-F y Clase-C se combinan para obtener un DPA asimétrico. Se simula y analiza el control preciso de carga activa de terminaciones fundamentales y armónicas del DPA, incluyendo los parásitos de los transistores. Las mediciones del DPA con la diferencia de fase, el ajuste de la relación de potencia de entrada y el seguimiento de envolvente del PA auxiliar se discuten en detalle para lograr un rendimiento competitivo. Se obtiene una eficiencia de drenaje superior al 63% dentro del rango dinámico de potencia de entrada de 10 dB a 2.1 GHz. El pico de eficiencia de drenaje alcanza el 73%, con una potencia de salida correspondiente de 46 dBm.