Este estudio presenta un amplificador de potencia (PA) de doble banda con dos puertos de salida que utiliza una red de adaptación de división de frecuencia de tres puertos simplificada. El PA de doble banda y doble salida podría amplificar una señal de doble banda con un solo transistor, y la red de adaptación de salida tipo diplexor (OMN) dividía las dos bandas en diferentes puertos de salida. Se aplicó una estructura que consiste en un tramo abierto de /4 y una línea de transmisión de /4 para restringir las señales no deseadas, lo que hacía que cada rama fuera equivalente a un circuito abierto en otra frecuencia. Un diseño de tres tramos redujo la complejidad del OMN. Las impedancias armónicas de segundo orden fueron ajustadas para una mejor eficiencia. El PA fue diseñado con un transistor de alta movilidad electrónica de nitruro de galio (GaN HEMT) de 10 W. Logró una eficiencia de drenaje (DE) del 55,84% y 53,77%, con una potencia de salida correspondiente de 40,22 y 40,77 dBm a 3,5 y 5,0 GHz, respectivamente. Los anchos de banda del 40%-DE fueron de más de 200 MHz en las dos bandas.