Amplificador de potencia MMIC de banda X con circuito sintonizado en el tercer armónico
Autores: Bae, Kyung-Tae; Lee, Ik-Joon; Kang, Byungjoo; Sim, Sanghoon; Jeon, Laurence; Kim, Dong-Wook
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2017
Acceso abierto
Artículo científico
2017
Amplificador de potencia MMIC de banda X con circuito sintonizado en el tercer armónico
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Banda x
Gan hemt
Amplificador de potencia
Circuito sintonizado en el tercer armónico
Densidad de potencia
Pae
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 34
Citaciones: Sin citaciones
Este documento presenta un amplificador de potencia GaN HEMT de banda X con un circuito sintonizado en el tercer armónico para una mayor densidad de potencia por área y una mayor eficiencia de potencia añadida (PAE) utilizando un proceso GaN HEMT de 0.25 m de WIN semiconductors, Inc.
Descripción
Este documento presenta un amplificador de potencia GaN HEMT de banda X con un circuito sintonizado en el tercer armónico para una mayor densidad de potencia por área y una mayor eficiencia de potencia añadida (PAE) utilizando un proceso GaN HEMT de 0.25 m de WIN semiconductors, Inc.