Un amplificador de potencia de cascode diferencial de metal-óxido-semiconductor complementario (CMOS) de banda K está diseñado con la etapa de fuente común (CS) de transistor de efecto de campo de óxido delgado (FET) y la etapa de compuerta común (CG) de FET de óxido grueso. El uso de la etapa CG de óxido grueso permite el suministro de voltaje alto a 3.7 V y habilita la alta potencia de salida. Además, un análisis simple muestra que la degradación de la ganancia debido a la baja frecuencia de corte del FET CG de óxido grueso puede ser compensada por la alta resistencia de salida del FET de óxido grueso si el nodo entre etapas es neutralizado. Los resultados medidos del amplificador de potencia propuesto demuestran una potencia de salida saturada de 23.3 dBm con una eficiencia de potencia agregada pico del 31.3% a una frecuencia de 24 GHz. El chip está fabricado en tecnología CMOS de bajo consumo de 65 nm y el tamaño del chip, incluyendo todas las almohadillas, es de 700 m x 630 m.