Un amplificador de potencia HBT InGaP/GaAs de doble modo que utiliza un transformador de combinación de potencia en paralelo de baja pérdida con el método de cancelación IMD3
Autores: Oh, Kyutaek; Ahn, Hyunjin; Nam, Ilku; Lee, Hui Dong; Park, Bonghyuk; Lee, Ockgoo
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2021
Acceso abierto
Artículo científico
2021
Un amplificador de potencia HBT InGaP/GaAs de doble modo que utiliza un transformador de combinación de potencia en paralelo de baja pérdida con el método de cancelación IMD3
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Modo dual
Amplificador de potencia
Transformador
Distorsión de intermodulación
Eficiencia
Linealidad
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 42
Citaciones: Sin citaciones
Se presenta un amplificador de potencia (PA) de transistor bipolar de heterounión (HBT) de InGaP/GaAs en modo dual utilizando un transformador de combinación de potencia paralelo (PCT).
Descripción
Se presenta un amplificador de potencia (PA) de transistor bipolar de heterounión (HBT) de InGaP/GaAs en modo dual utilizando un transformador de combinación de potencia paralelo (PCT).