Este documento presenta un amplificador de potencia de tres etapas de banda ancha para comunicaciones 5G, que ha sido implementado en una tecnología GaN-on-SiC de 150 nm y adopta una arquitectura Doherty. El amplificador está compuesto por un buffer de entrada de 50 ohmios, que impulsa un divisor de potencia, gracias al cual entrega su potencia de salida a las dos unidades de amplificador de potencia de la topología Doherty, es decir, el amplificador principal y auxiliar. Finalmente, las salidas de los dos amplificadores de potencia se disponen adecuadamente en un esquema de combinación de corriente que permite la modulación de carga típica de la arquitectura Doherty, además de permitir la combinación de potencia en la salida final. El amplificador propuesto logra una ganancia de señal pequeña de alrededor de 30 dB a 27 GHz, al tiempo que proporciona una potencia de salida saturada de 32 dBm, con una eficiencia de potencia añadida (PAE) tan alta como 26% y 18% en pico y 6 dB de retroceso de potencia de salida, respectivamente.