Amplificador de potencia distribuida FET de triple apilamiento utilizando el proceso CMOS de 28 nm
Autores: Kim, Jihoon; Sung, Youngje
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2024
Acceso abierto
Artículo científico
2024
Amplificador de potencia distribuida FET de triple apilamiento utilizando el proceso CMOS de 28 nm
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Banda ancha
Cmos
Amplificador de potencia
Amplificación distribuida
Diseño de alta frecuencia
Características de rf
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 31
Citaciones: Sin citaciones
Se implementó un amplificador de potencia de óxido metálico complementario (CMOS) de 28 nm de banda ancha utilizando un diseño de amplificación distribuida.
Descripción
Se implementó un amplificador de potencia de óxido metálico complementario (CMOS) de 28 nm de banda ancha utilizando un diseño de amplificación distribuida.