Un amplificador de potencia de 60 GHz con condensadores de neutralización e inductores de compensación
Autores: Kim, Joon-Hyung; Byeon, Chul-Woo
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2024
Acceso abierto
Artículo científico
2024
Un amplificador de potencia de 60 GHz con condensadores de neutralización e inductores de compensación
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Eficiencia añadida de potencia
Ganancia por etapa
Amplificador de potencia
60 GHz
Tecnología CMOS
Potencia de salida de saturación
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
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Citaciones: Sin citaciones
En este trabajo, presentamos un amplificador de potencia (PA) de 60 GHz de alta eficiencia de potencia agregada (PAE) y alta ganancia por etapa. El PA propuesto consta de un amplificador de dos etapas de fuente común que incorpora condensadores de neutralización e inductores de compensación para mejorar tanto la ganancia como la eficiencia. Las características de ganancia se analizan, demostrando que el diseño propuesto mejora tanto la ganancia como la eficiencia. Implementado en tecnología CMOS de 65 nm, el PA logra una potencia de salida saturada de 13,4 dBm a 60 GHz, con un PAE máximo del 26,7% a partir de una fuente de 1 V. El punto de compresión de 1 dB de salida es de 10,5 dBm, con un PAE del 16%. El PA ocupa un área de chip central de 0,094 mm.
Descripción
En este trabajo, presentamos un amplificador de potencia (PA) de 60 GHz de alta eficiencia de potencia agregada (PAE) y alta ganancia por etapa. El PA propuesto consta de un amplificador de dos etapas de fuente común que incorpora condensadores de neutralización e inductores de compensación para mejorar tanto la ganancia como la eficiencia. Las características de ganancia se analizan, demostrando que el diseño propuesto mejora tanto la ganancia como la eficiencia. Implementado en tecnología CMOS de 65 nm, el PA logra una potencia de salida saturada de 13,4 dBm a 60 GHz, con un PAE máximo del 26,7% a partir de una fuente de 1 V. El punto de compresión de 1 dB de salida es de 10,5 dBm, con un PAE del 16%. El PA ocupa un área de chip central de 0,094 mm.