Este documento presenta un amplificador de bajo ruido (LNA) de banda Ka basado en GaAs con mejora de la planitud de ganancia. Se emplearon técnicas de optimización de dispositivos activos y de degeneración inductiva para obtener una figura de ruido baja (NF) y una buena pérdida de retorno de entrada/salida. Para lograr una respuesta de ganancia plana sobre un ancho de banda amplio, se utilizó la técnica de ajuste escalonado. El LNA propuesto se implementó mediante el proceso GaAs pHEMT de 0.15 m, y el área del chip es solo de 1.5 x 0.9 mm. Los resultados de las mediciones muestran que el LNA presentado exhibe una ganancia de señal pequeña de 21.5 +/- 0.3 dB, y la NF del LNA es inferior a 2.2 dB de 32 a 40 GHz a temperatura ambiente.