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Un amplificador de bajo ruido de banda ancha de 19,6 a 39,4 GHz basado en la técnica de triple acoplamiento y la red de bobina en T en CMOS de 65 nm

Autores: Wan, Jiayue; Li, Xiao; Han, Fang; Qi, Quanwen; Liu, Xuzhi; Chen, Zhiming

Idioma: Inglés

Editor: MDPI

Año: 2022

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Acceso abierto

Artículo científico
2022

Un amplificador de bajo ruido de banda ancha de 19,6 a 39,4 GHz basado en la técnica de triple acoplamiento y la red de bobina en T en CMOS de 65 nm


Categoría

Ingeniería y Tecnología

Subcategoría

Ingeniería Eléctrica y Electrónica

Palabras clave

Broadband
Amplificador de bajo ruido
Tecnología CMOS
Ancho de banda
Ganancia
Figura de ruido

Licencia

CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual

Consultas: 26

Citaciones: Sin citaciones


Descripción
Este documento presenta un amplificador de bajo ruido (LNA) diferencial de banda ancha de 19.6-39.4 GHz en tecnología CMOS de 65 nm. El LNA consta de dos etapas en cascada y una etapa de fuente común. Para lograr un ancho de banda amplio y una figura de ruido promedio baja, se desarrollan la técnica de distribución de ganancia máxima entre etapas y la técnica triple acoplada basada en transformadores. Además, se propone una nueva red compacta basada en bobina en T para neutralizar los capacitores parásitos y aumentar la ganancia. Los resultados de la medición muestran que el ancho de banda de 3 dB va de 19.6 a 39.4 GHz, la ganancia máxima es de 23.5 dB y la figura de ruido (NF) va de 3.7 a 5.8 dB. El consumo de potencia de cc es de 46 mW con un voltaje de alimentación de 1V. La entrada P1dB es -17 dBm a 30 GHz.

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