Un amplificador de bajo ruido de banda ancha de 19,6 a 39,4 GHz basado en la técnica de triple acoplamiento y la red de bobina en T en CMOS de 65 nm
Autores: Wan, Jiayue; Li, Xiao; Han, Fang; Qi, Quanwen; Liu, Xuzhi; Chen, Zhiming
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2022
Acceso abierto
Artículo científico
2022
Un amplificador de bajo ruido de banda ancha de 19,6 a 39,4 GHz basado en la técnica de triple acoplamiento y la red de bobina en T en CMOS de 65 nm
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Broadband
Amplificador de bajo ruido
Tecnología CMOS
Ancho de banda
Ganancia
Figura de ruido
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 26
Citaciones: Sin citaciones
Este documento presenta un amplificador de bajo ruido (LNA) diferencial de banda ancha de 19.6-39.4 GHz en tecnología CMOS de 65 nm. El LNA consta de dos etapas en cascada y una etapa de fuente común. Para lograr un ancho de banda amplio y una figura de ruido promedio baja, se desarrollan la técnica de distribución de ganancia máxima entre etapas y la técnica triple acoplada basada en transformadores. Además, se propone una nueva red compacta basada en bobina en T para neutralizar los capacitores parásitos y aumentar la ganancia. Los resultados de la medición muestran que el ancho de banda de 3 dB va de 19.6 a 39.4 GHz, la ganancia máxima es de 23.5 dB y la figura de ruido (NF) va de 3.7 a 5.8 dB. El consumo de potencia de cc es de 46 mW con un voltaje de alimentación de 1V. La entrada P1dB es -17 dBm a 30 GHz.
Descripción
Este documento presenta un amplificador de bajo ruido (LNA) diferencial de banda ancha de 19.6-39.4 GHz en tecnología CMOS de 65 nm. El LNA consta de dos etapas en cascada y una etapa de fuente común. Para lograr un ancho de banda amplio y una figura de ruido promedio baja, se desarrollan la técnica de distribución de ganancia máxima entre etapas y la técnica triple acoplada basada en transformadores. Además, se propone una nueva red compacta basada en bobina en T para neutralizar los capacitores parásitos y aumentar la ganancia. Los resultados de la medición muestran que el ancho de banda de 3 dB va de 19.6 a 39.4 GHz, la ganancia máxima es de 23.5 dB y la figura de ruido (NF) va de 3.7 a 5.8 dB. El consumo de potencia de cc es de 46 mW con un voltaje de alimentación de 1V. La entrada P1dB es -17 dBm a 30 GHz.