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Mejora de la fiabilidad de lectura en memoria de cambio de fase con un amplificador de sentido compensado con margen de detección dual

Autores: Wu, Qingyu; Xie, Chenchen; Song, Sannian; Ding, Xing; Li, Xi; Song, Zhitang

Idioma: Inglés

Editor: MDPI

Año: 2024

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Acceso abierto

Artículo científico
2024

Mejora de la fiabilidad de lectura en memoria de cambio de fase con un amplificador de sentido compensado con margen de detección dual


Categoría

Ingeniería y Tecnología

Subcategoría

Ingeniería Eléctrica y Electrónica

Palabras clave

Memoria de cambio de fase
Escalabilidad
Durabilidad
Rentabilidad
Amplificador de sentido compensado de doble margen de sensibilidad
Consumo de energía de lectura

Licencia

CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual

Consultas: 42

Citaciones: Sin citaciones


Descripción
La memoria de cambio de fase (PCM) se considera uno de los candidatos más prometedores para la memoria no volátil de próxima generación, debido a su escalabilidad, durabilidad y rentabilidad. Sin embargo, con la disminución de los tamaños de los dispositivos y la reducción de los voltajes de suministro, lograr lecturas de alta velocidad y confiables en PCM se ha vuelto cada vez más desafiante debido a las variaciones del proceso. Para abordar esto, se propone el amplificador de sentido compensado por compensación de margen de doble sensibilidad (DSOC-SA). El DSOC-SA logra el margen de sensibilidad más alto y el menor consumo de energía de lectura en comparación con los amplificadores de sentido tradicionales mediante el uso de una estructura de doble margen de sensibilidad, compensación de desplazamiento y retroalimentación positiva fuerte. Los resultados de la simulación demuestran que, en comparación con el amplificador de sentido diferencial y el amplificador de sentido de muestreo de corriente de cancelación de desplazamiento, DSOC-SA logra una mejora de 5,6 veces y 1,6 veces en la velocidad de sensibilidad, respectivamente, mientras reduce el consumo de energía en un 87,1% y 51,2%.

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