Mejora de la fiabilidad de lectura en memoria de cambio de fase con un amplificador de sentido compensado con margen de detección dual
Autores: Wu, Qingyu; Xie, Chenchen; Song, Sannian; Ding, Xing; Li, Xi; Song, Zhitang
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2024
Acceso abierto
Artículo científico
2024
Mejora de la fiabilidad de lectura en memoria de cambio de fase con un amplificador de sentido compensado con margen de detección dual
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Memoria de cambio de fase
Escalabilidad
Durabilidad
Rentabilidad
Amplificador de sentido compensado de doble margen de sensibilidad
Consumo de energía de lectura
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 42
Citaciones: Sin citaciones
La memoria de cambio de fase (PCM) se considera uno de los candidatos más prometedores para la memoria no volátil de próxima generación, debido a su escalabilidad, durabilidad y rentabilidad. Sin embargo, con la disminución de los tamaños de los dispositivos y la reducción de los voltajes de suministro, lograr lecturas de alta velocidad y confiables en PCM se ha vuelto cada vez más desafiante debido a las variaciones del proceso. Para abordar esto, se propone el amplificador de sentido compensado por compensación de margen de doble sensibilidad (DSOC-SA). El DSOC-SA logra el margen de sensibilidad más alto y el menor consumo de energía de lectura en comparación con los amplificadores de sentido tradicionales mediante el uso de una estructura de doble margen de sensibilidad, compensación de desplazamiento y retroalimentación positiva fuerte. Los resultados de la simulación demuestran que, en comparación con el amplificador de sentido diferencial y el amplificador de sentido de muestreo de corriente de cancelación de desplazamiento, DSOC-SA logra una mejora de 5,6 veces y 1,6 veces en la velocidad de sensibilidad, respectivamente, mientras reduce el consumo de energía en un 87,1% y 51,2%.
Descripción
La memoria de cambio de fase (PCM) se considera uno de los candidatos más prometedores para la memoria no volátil de próxima generación, debido a su escalabilidad, durabilidad y rentabilidad. Sin embargo, con la disminución de los tamaños de los dispositivos y la reducción de los voltajes de suministro, lograr lecturas de alta velocidad y confiables en PCM se ha vuelto cada vez más desafiante debido a las variaciones del proceso. Para abordar esto, se propone el amplificador de sentido compensado por compensación de margen de doble sensibilidad (DSOC-SA). El DSOC-SA logra el margen de sensibilidad más alto y el menor consumo de energía de lectura en comparación con los amplificadores de sentido tradicionales mediante el uso de una estructura de doble margen de sensibilidad, compensación de desplazamiento y retroalimentación positiva fuerte. Los resultados de la simulación demuestran que, en comparación con el amplificador de sentido diferencial y el amplificador de sentido de muestreo de corriente de cancelación de desplazamiento, DSOC-SA logra una mejora de 5,6 veces y 1,6 veces en la velocidad de sensibilidad, respectivamente, mientras reduce el consumo de energía en un 87,1% y 51,2%.