Amplificador de potencia compacto con coincidencia interna de alta potencia con una amplia banda de frecuencia de 0.8-2 GHz
Autores: Li, Caoyu; Zhang, Ziliang; Su, Xiang; Li, Yue; Liang, Xinru; Pei, Yi; Chen, Changchang; Xu, Yuehang
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2024
Acceso abierto
Artículo científico
2024
Amplificador de potencia compacto con coincidencia interna de alta potencia con una amplia banda de frecuencia de 0.8-2 GHz
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Amplificador de potencia
GaN HEMT
Banda ancha
Red de adaptación
Potencia de salida
Transistor de alta movilidad electrónica
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 23
Citaciones: Sin citaciones
En este documento se propone un amplificador de potencia de banda ancha compacto de alta potencia con un transistor de alta movilidad electrónica de nitruro de galio (HEMT) con una frecuencia de operación de 0.8 GHz a 2 GHz.
Descripción
En este documento se propone un amplificador de potencia de banda ancha compacto de alta potencia con un transistor de alta movilidad electrónica de nitruro de galio (HEMT) con una frecuencia de operación de 0.8 GHz a 2 GHz.