Un amplificador de potencia CMOS compacto de outphasing totalmente integrado que utiliza un transformador de combinación paralela con un método de inductor de ajuste
Autores: Choi, Se-Eun; Ahn, Hyunjin; Hur, Joonhoi; Kim, Kwan-Woo; Nam, Ilku; Choi, Jaehyouk; Lee, Ockgoo
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2020
Acceso abierto
Artículo científico
2020
Un amplificador de potencia CMOS compacto de outphasing totalmente integrado que utiliza un transformador de combinación paralela con un método de inductor de ajuste
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Transformador
Desfasaje de salida
Amplificador de potencia
PCT
Clase-D
Eficiencia
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 22
Citaciones: Sin citaciones
Este trabajo presenta un amplificador de potencia de salida en chip compacto con un transformador de combinación en paralelo (PCT). Se analizan un transformador de combinación en serie (SCT) y un PCT como transformadores de combinación de potencia para operaciones de salida en fase. En comparación con el SCT, que se utiliza típicamente para combinadores de salida en chip, el PCT es mucho más pequeño. También se analizan las operaciones de salida en fase de los combinadores de transformadores y los PA de conmutación de clase D. Se propone un método de inductor de ajuste para mejorar la eficiencia de los amplificadores de potencia de clase D (PAs) con transformadores de combinación de potencia en el modo fuera de fase. El PA propuesto se implementó con un proceso CMOS estándar de 0.18 um. La eficiencia máxima de drenaje medida es del 37.3% con una potencia de salida de 22.4 dBm a 1.7 GHz. Se obtiene una relación de fuga de canal adyacente (ACLR) medida de menos de -30 dBc para una señal de evolución a largo plazo (LTE) con un ancho de banda de 10 MHz.
Descripción
Este trabajo presenta un amplificador de potencia de salida en chip compacto con un transformador de combinación en paralelo (PCT). Se analizan un transformador de combinación en serie (SCT) y un PCT como transformadores de combinación de potencia para operaciones de salida en fase. En comparación con el SCT, que se utiliza típicamente para combinadores de salida en chip, el PCT es mucho más pequeño. También se analizan las operaciones de salida en fase de los combinadores de transformadores y los PA de conmutación de clase D. Se propone un método de inductor de ajuste para mejorar la eficiencia de los amplificadores de potencia de clase D (PAs) con transformadores de combinación de potencia en el modo fuera de fase. El PA propuesto se implementó con un proceso CMOS estándar de 0.18 um. La eficiencia máxima de drenaje medida es del 37.3% con una potencia de salida de 22.4 dBm a 1.7 GHz. Se obtiene una relación de fuga de canal adyacente (ACLR) medida de menos de -30 dBc para una señal de evolución a largo plazo (LTE) con un ancho de banda de 10 MHz.