Amplificador de transimpedancia CMOS en cascada regulado de baja potencia con circuito de realimentación local
Autores: Takahashi, Yasuhiro; Ito, Daisuke; Nakamura, Makoto; Tsuchiya, Akira; Inoue, Toshiyuki; Kishine, Keiji
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2022
Acceso abierto
Artículo científico
2022
Amplificador de transimpedancia CMOS en cascada regulado de baja potencia con circuito de realimentación local
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Propuesto
Amplificador de transimpedancia
Retroalimentación negativa local
Ancho de banda más amplio
Menor disipación de potencia
Realce inductivo
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 35
Citaciones: Sin citaciones
En este documento, proponemos un amplificador transimpedancia (TIA) de múltiples etapas basado en la técnica de retroalimentación negativa local. En comparación con la técnica convencional de retroalimentación global, el TIA propuesto tiene las ventajas de un ancho de banda más amplio y una menor disipación de potencia. Se describe el esquemático y las características del circuito TIA propuesto. Además, el TIA propuesto emplea realce inductivo para aumentar el ancho de banda. El TIA se implementa utilizando una tecnología de óxido de metal complementario (CMOS) de 65 nm y consume 23.9 mW con un voltaje de suministro de 1.0 V. Mediante una simulación con anotación posterior, obtuvimos las siguientes características: una ganancia de 46 dB y una frecuencia de -3 dB de 11.4 GHz. El TIA ocupa un área de 366 m x 225 m.
Descripción
En este documento, proponemos un amplificador transimpedancia (TIA) de múltiples etapas basado en la técnica de retroalimentación negativa local. En comparación con la técnica convencional de retroalimentación global, el TIA propuesto tiene las ventajas de un ancho de banda más amplio y una menor disipación de potencia. Se describe el esquemático y las características del circuito TIA propuesto. Además, el TIA propuesto emplea realce inductivo para aumentar el ancho de banda. El TIA se implementa utilizando una tecnología de óxido de metal complementario (CMOS) de 65 nm y consume 23.9 mW con un voltaje de suministro de 1.0 V. Mediante una simulación con anotación posterior, obtuvimos las siguientes características: una ganancia de 46 dB y una frecuencia de -3 dB de 11.4 GHz. El TIA ocupa un área de 366 m x 225 m.