Un amplificador de potencia CMOS de banda E basado en transformador compacto con eficiencias mejoradas del 15,6 % de PAE y el 6,5 % de PAE a 6 dB de retroceso de potencia
Autores: Wei, Zhennan; Huang, Fengyi; Zhang, Youming; Tang, Xusheng; Jiang, Nan
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2022
Acceso abierto
Artículo científico
2022
Un amplificador de potencia CMOS de banda E basado en transformador compacto con eficiencias mejoradas del 15,6 % de PAE y el 6,5 % de PAE a 6 dB de retroceso de potencia
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Amplificador de potencia de banda E en proceso CMOS
Linealidad
Eficiencia
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 28
Citaciones: Sin citaciones
Este artículo presenta un amplificador de potencia (PA) de banda E compacto implementado en un proceso CMOS de 40 nm. Se adopta la técnica de neutralización para mejorar el aislamiento inverso, la estabilidad y la ganancia de potencia. La linealidad del PA se mejora al operar la etapa de salida en la región profunda de clase-AB. Se utilizan redes de adaptación basadas en transformadores (TMNs) para la transformación de impedancia, y se optimizan para la potencia de salida y la eficiencia. A 81 GHz, el PA presentado logra una potencia máxima de salida comprimida de 1 dB de 11.2 dBm y una potencia de salida saturada de 12.7 dBm con 1 V de suministro. Las eficiencias de potencia agregada (PAE) y de retroceso de potencia de 6 dB (PBO) son del 15.6% y 6.5%, respectivamente.
Descripción
Este artículo presenta un amplificador de potencia (PA) de banda E compacto implementado en un proceso CMOS de 40 nm. Se adopta la técnica de neutralización para mejorar el aislamiento inverso, la estabilidad y la ganancia de potencia. La linealidad del PA se mejora al operar la etapa de salida en la región profunda de clase-AB. Se utilizan redes de adaptación basadas en transformadores (TMNs) para la transformación de impedancia, y se optimizan para la potencia de salida y la eficiencia. A 81 GHz, el PA presentado logra una potencia máxima de salida comprimida de 1 dB de 11.2 dBm y una potencia de salida saturada de 12.7 dBm con 1 V de suministro. Las eficiencias de potencia agregada (PAE) y de retroceso de potencia de 6 dB (PBO) son del 15.6% y 6.5%, respectivamente.