Este documento presenta un amplificador de potencia de clase B continuo de alta eficiencia en MMIC (Circuito Integrado Monolítico de Microondas) de 8 GHz a 10.5 GHz, fabricado con tecnología GaN-on-SiC de 0.25 m. Se realizó el método de la línea de carga de Pedro para calcular la carga óptima del transistor de efecto de campo de GaN (FET) para mejorar la eficiencia. Optimizado por una red sintonizada de segundo armónico de salida, se estableció un mapeo de impedancia de fundamental a segundo armónico punto a punto dentro de una amplia banda de frecuencia, que se acercaba al modo clásico de clase B continuo con un ancho de banda de alta eficiencia expandido. Además, se introdujo la contribución a la capacitancia de salida del FET en la red sintonizada de segundo armónico de salida, lo que simplificó la estructura de la red de adaptación de salida. Asistido por la técnica de extracción de fuente de segundo armónico, se optimizó la red sintonizada de segundo armónico de entrada para mejorar la eficiencia del amplificador de potencia sobre la banda de operación. Los resultados de la medición mostraron un PAE (Eficiencia Agregada de Potencia) del 51-59% y una ganancia de potencia de 19.8-21.2 dB con una potencia saturada de 40.8-42.2 dBm de 8 GHz a 10.5 GHz. El tamaño del chip era de 3.2 x 2.4 mm.