Recientemente, los transistores de efecto de campo de nanotubos de carbono (CNTFETs) han atraído mucha atención como candidatos prometedores para componentes en la próxima generación de dispositivos electrónicos. En particular, los dispositivos y circuitos de RF basados en CNTFET muestran un rendimiento superior a los construidos con FET de silicio, ya que son capaces de obtener una mayor ganancia de potencia y frecuencia de corte a una menor disipación de energía. El objetivo de este artículo es presentar un modelo compacto y orientado al diseño de CNTFETs que pueda facilitar el desarrollo de un amplificador completo. Como estudio de caso, se presenta el diseño detallado de un LNA de banda ancha sin inductor de alto rendimiento basado en CNTFET.