Este artículo presenta un amplificador de bajo ruido (LNA) de dos etapas de baja potencia de extremo único (SE) de 28 GHz en tecnología CMOS de silicio sobre aislante (SOI) de 90 nm para aplicaciones 5G. En este diseño, se discute la influencia del circuito de polarización. La resistencia de 1200 Ohmios adoptada en el circuito de polarización puede suministrar voltaje continuo y mantener todo el circuito incondicionalmente estable. Los puntos de polarización de la compuerta se establecen en 0.55 V para que el circuito sea de baja potencia y estable a temperatura. Los resultados de las mediciones ilustraron que el LNA logró una ganancia máxima de señal pequeña de 18.1 dB y una figura de ruido (NF) promedio de 3.1 dB en la banda de frecuencia de funcionamiento. S11 medido fue inferior a -10 dB entre 25 GHz y 29 GHz y el aislamiento inverso S12 fue inferior a -25 dB en toda la banda. Consumió solo 4 mW mediante una selección adecuada del punto de polarización con un área central de 0.16 mm sin almohadillas. El LNA fabricado ha demostrado una variación de ganancia de 3 dB y una variación de NF de 1.9 dB de -40 grados Celsius a 125 grados Celsius con una variación de potencia de 0.8 mW. Sugiere que el LNA CMOS SOI propuesto puede ser un candidato prometedor para aplicaciones 5G.