Diseño de amplificador de potencia 5G de onda milimétrica de banda ancha en CMOS FD-SOI de 22 nm y GaN HEMT de 40 nm
Autores: Mayeda, Jill; Lie, Donald Y. C.; Lopez, Jerry
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2022
Acceso abierto
Artículo científico
2022
Diseño de amplificador de potencia 5G de onda milimétrica de banda ancha en CMOS FD-SOI de 22 nm y GaN HEMT de 40 nm
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Amplificadores de potencia de onda milimétrica
Banda 5G FR2
GaN/SiC HEMT
Ancho de banda
Tecnología CMOS
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 33
Citaciones: Sin citaciones
Tres amplificadores de potencia (PAs) de onda milimétrica (mm-Wave) que cubren la banda clave FR2 de 5G de 24,25 a 43,5 GHz están diseñados en dos tecnologías de dispositivos de última generación diferentes y se presentan en este trabajo.
Descripción
Tres amplificadores de potencia (PAs) de onda milimétrica (mm-Wave) que cubren la banda clave FR2 de 5G de 24,25 a 43,5 GHz están diseñados en dos tecnologías de dispositivos de última generación diferentes y se presentan en este trabajo.