En este documento, hemos fabricado transistores de alta movilidad electrónica de InGaAs (HEMTs) en sustratos de Si. Las heteroestructuras de InAlAs/InGaAs se cultivaron inicialmente en sustratos de InP mediante epitaxia de haces moleculares (MBE), y se empleó la técnica de unión de obleas adhesivas para unir los sustratos de InP a los sustratos de Si, formando así un canal de InGaAs de alta calidad en Si. El dispositivo de longitud de compuerta de 120 nm muestra una corriente de drenaje máxima (I) de 569 mA/mm, y la máxima transconductancia extrínseca (g) de 1112 mS/mm. La frecuencia de corte de ganancia de corriente (f) es tan alta como 273 GHz y la frecuencia máxima de oscilación (f) alcanza los 290 GHz. Hasta donde sabemos, la g y la f de nuestro dispositivo son las más altas jamás reportadas en HEMTs de canal de InGaAs en sustratos de Si con longitud de compuerta superior a 100 nm.