Hemos propuesto, fabricado y estudiado un nuevo diseño de una memoria óptica no volátil de alta velocidad. El mecanismo de grabación de la memoria propuesta utiliza una inversión de la magnetización de un nanomagneto mediante una corriente fotopolarizada. Se demostró experimentalmente que la velocidad operativa de esta memoria puede ser extremadamente rápida por encima de 1 TBit/s. Se discuten los desafíos para realizar tanto una grabación de alta velocidad como una lectura de alta velocidad. La memoria es compacta, integrable y compatible con la tecnología semiconductor actual. Si se realiza, avanzará la tecnología de procesamiento de datos y computación hacia una velocidad de operación más rápida.