El crecimiento de MoS de una sola capa con deposición química de vapor es un método establecido que puede producir muestras de gran área y alta calidad. En este artículo, investigamos las propiedades geométricas y ópticas de cientos de cristales individuales de MoS de una sola capa crecidos en un sustrato de zafiro altamente pulido. La mayoría de los cristales están orientados a lo largo de las terrazas del sustrato de zafiro y tienen un área comprendida entre 10 um y 60 um. Las medidas de reflectancia diferencial realizadas en estos cristales muestran que el área de los cristales de MoS tiene influencia en la posición y el ensanchamiento del excitón B, mientras que la orientación no influye en los excitones A y B de MoS. Estas medidas demuestran que las medidas de reflectancia diferencial tienen el potencial de ser utilizadas para caracterizar la homogeneidad de muestras de gran área crecidas por deposición química de vapor (CVD).