Los transistores de película delgada de óxido de indio-galio-cinc no cristalizado (InGaZnO) combinados con un dieléctrico de nitruro de aluminio (AlN) se han utilizado para mejorar el rendimiento y la estabilidad. Sin embargo, la alta temperatura de deposición de películas de AlN limita su aplicación en los TFT flexibles de InGaZnO. En este trabajo, las capas de AlN se depositaron mediante deposición de capa atómica asistida por plasma a baja temperatura (PEALD), y las películas de InGaZnO se fabricaron mediante pulverización catódica de imán de impulsos de alta potencia (HIPIMS). Se estudió el alineamiento de bandas de la heterounión AlN/InGaZnO utilizando el espectro de fotoemisión de rayos X y el espectro de transmitancia ultravioleta visible. Se encontró que el sistema AlN/InGaZnO presentaba un alineamiento de bandas escalonado con un desplazamiento de banda de valencia E de -1.25 +/- 0.05 eV y un desplazamiento de banda de conducción E de 4.01 +/- 0.05 eV. Los resultados implican que el AlN PEALD podría ser más útil para la pasivación de la superficie que como dieléctrico de compuerta para promover la fiabilidad del dispositivo InGaZnO bajo exposición atmosférica.