Demostración de AlGaN/GaN MISHEMT en Si con crecimiento epitaxial a baja temperatura de compuerta dieléctrica de AlN
Autores: Whiteside, Matthew; Arulkumaran, Subramaniam; Dikme, Yilmaz; Sandupatla, Abhinay; Ng, Geok Ing
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2020
Acceso abierto
Artículo científico
2020
Demostración de AlGaN/GaN MISHEMT en Si con crecimiento epitaxial a baja temperatura de compuerta dieléctrica de AlN
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Aln
Mishemt
Dieléctrico de compuerta
Recocido posterior a la compuerta
Corriente de drenaje
Densidad de estados de interfaz
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 30
Citaciones: Sin citaciones
Los transistores de alta movilidad de electrones metal-aislante-semiconductor (MISHEMT) de AlGaN/GaN con un dieléctrico de compuerta de AlN monocristalino crecido a baja temperatura (LTE) se demostraron por primera vez y se estudiaron los efectos del recocido post-compuerta a 400 grados Celsius.
Descripción
Los transistores de alta movilidad de electrones metal-aislante-semiconductor (MISHEMT) de AlGaN/GaN con un dieléctrico de compuerta de AlN monocristalino crecido a baja temperatura (LTE) se demostraron por primera vez y se estudiaron los efectos del recocido post-compuerta a 400 grados Celsius.