Para tener en cuenta la influencia del efecto del envejecimiento en el rendimiento del circuito en la etapa de diseño temprana, es necesario establecer un modelo preciso de simulación de envejecimiento. Sin embargo, existe una gran discrepancia en la degradación del transistor MOSFET deducida inversamente a partir del modelo de envejecimiento. Para abordar ese problema, se propone en este documento un método que establece la relación de conversión entre los parámetros de simulación y la degradación de los parámetros del transistor MOSFET. Los valores de degradación se convirtieron en parámetros del modelo que caracterizan el efecto del envejecimiento en SPICE, y los resultados muestran que la precisión de la simulación de envejecimiento se mejoró hasta el 0.1%, lo que brindaría una gran conveniencia para la simulación y análisis de la fiabilidad del circuito. Por último, analizamos el efecto del envejecimiento en el circuito del oscilador de anillo a través del modelo.