Se presenta un enfoque para derivar la absorción por debajo del bandgap en dispositivos de puntos cuánticos autoensamblados de GaSb/GaAs utilizando resultados de mediciones de eficiencia cuántica externa a temperatura ambiente. Se estudian dispositivos con cinco capas de puntos cuánticos dopados por delta colocados en las regiones intrínseca, n y p de una celda solar de GaAs. Se demuestra la importancia de incorporar una absorción de cola de Urbach extendida en el análisis de la fuerza de absorción de los puntos cuánticos y los estados de transición. La absorbancia teóricamente integrada a través de los estados fundamentales de los puntos cuánticos se calcula como 1.04 x 10 cms, lo que está en razonable acuerdo con el valor derivado experimentalmente de 8.1 x 10 cms. Las contribuciones de absorción de la capa de humectación y de los puntos cuánticos se separan de la absorción de cola y se calculan sus energías de transición. Utilizando estas energías de transición y el gap de energía de GaAs de 1.42 eV, se estiman las energías de confinamiento de agujeros pesados para los puntos cuánticos (320 meV) y para la capa de humectación (120 meV).