Las pruebas de ciclo de encendido y apagado (PCTs) evalúan la fiabilidad de los dispositivos de energía al simular de cerca sus condiciones de funcionamiento. Se realizó un PCT en transistores de efecto de campo de óxido metálico de potencia de 1.2 kV 4H-SiC disponibles comercialmente para observar su impacto en la interfaz 4H-SiC/SiO. La microscopía electrónica de transmisión de alta resolución y las mediciones de espectroscopía de pérdida de energía de electrones mostraron variaciones en la longitud de la capa de transición 4H-SiC/SiO, dependiendo de si el dispositivo se sometió a ciclos de energía. Además, la resistencia total en el gráfico de R - (V-V) aumentó un 16.5%, mientras que cambió de manera más radical a un 47.3% en V V. El voltaje umbral se desplazó negativamente. Estas variaciones no pueden atribuirse únicamente al desgaste del paquete.