128.76-129.56 GHz oscilador de control de voltaje fundamental en CMOS de 65 nm
Autores: Su, Guodong; Chen, Dirong; Pang, Kaixuan; Gao, Haijun; Su, Jiangtao; Sun, Lingling
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2020
Acceso abierto
Artículo científico
2020
128.76-129.56 GHz oscilador de control de voltaje fundamental en CMOS de 65 nm
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Oscilador de control de voltaje
Inductor DLNCSS
Ruido de fase
Tanque resonante acoplado por transformador
Proceso CMOS
Rango de ajuste
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 33
Citaciones: Sin citaciones
Este artículo presentó un oscilador controlado por voltaje (VCO) fundamental, cuya frecuencia de operación variaba de 128.76 GHz a 129.56 GHz. Se propuso y analizó un inductor de conmutación de blindaje de acoplamiento negativo bajo diferencial (DLNCSS), que ayudó a mejorar el rango de sintonización y el ruido de fase del VCO presentado. Mientras tanto, se utilizó un tanque resonante acoplado por transformador mejorado, que consistía en el inductor DLNCSS y un varactor diferencial utilizando la estructura de cátodo común, para mejorar aún más el ruido de fase del VCO propuesto. Este VCO presentado fue diseñado y fabricado utilizando un proceso CMOS de 65 nm, que ocupaba un área compacta de 0.23 mm, incluidas todas las almohadillas de prueba. Los resultados de las mediciones mostraron que este VCO consumía 11.2 mW de un suministro de 1.4 V y tenía un rango de sintonización de 0.8 GHz. La potencia de salida variaba de -11.8 dBm a -10.6 dBm en su banda de frecuencia de operación. La simulación posterior al diseño mostró que el ruido de fase a 1 MHz era mejor que -82 dBc/Hz.
Descripción
Este artículo presentó un oscilador controlado por voltaje (VCO) fundamental, cuya frecuencia de operación variaba de 128.76 GHz a 129.56 GHz. Se propuso y analizó un inductor de conmutación de blindaje de acoplamiento negativo bajo diferencial (DLNCSS), que ayudó a mejorar el rango de sintonización y el ruido de fase del VCO presentado. Mientras tanto, se utilizó un tanque resonante acoplado por transformador mejorado, que consistía en el inductor DLNCSS y un varactor diferencial utilizando la estructura de cátodo común, para mejorar aún más el ruido de fase del VCO propuesto. Este VCO presentado fue diseñado y fabricado utilizando un proceso CMOS de 65 nm, que ocupaba un área compacta de 0.23 mm, incluidas todas las almohadillas de prueba. Los resultados de las mediciones mostraron que este VCO consumía 11.2 mW de un suministro de 1.4 V y tenía un rango de sintonización de 0.8 GHz. La potencia de salida variaba de -11.8 dBm a -10.6 dBm en su banda de frecuencia de operación. La simulación posterior al diseño mostró que el ruido de fase a 1 MHz era mejor que -82 dBc/Hz.